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P2N2907AZL1G Especificaciones técnicas
P2N2907AZL1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | EUROPEAN PART NUMBER |
Voltage - Rated DC | -60V |
Terminal Position | BOTTOM |
Reach Compliance Code | unknown |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 1.6V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | -1.6V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Turn Off Time-Max (toff) | 110ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Box (TB) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Subcategory | Other Transistors |
Max Power Dissipation | 625mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Current Rating | -600mA |
Base Part Number | P2N2907 |
Qualification Status | Not Qualified |
Element Configuration | Single |
Gain Bandwidth Product | 200MHz |
Transistor Type | PNP |
Max Collector Current | 600mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Transition Frequency | 200MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | -60V |
hFE Min | 75 |
Turn On Time-Max (ton) | 50ns |
Lead Free | Lead Free |
P2N2907AZL1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para P2N2907AZL1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "P2N29" partes
Las siguientes partes incluyen 'P2N29'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
P2N2907A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2726 |
P2N2907AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2566 |
P2N2907AG | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907ARL1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2757 |
P2N2907ARL1 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907ARL1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 11407 |
P2N2907ARL1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907AZL1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 8478 |
P2N2907AZL1 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907AZL1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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