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P2N2907AZL1
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P2N2907AZL1 Especificaciones técnicas
TRANS PNP 60V 0.6A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "P2N29" partes
Las siguientes partes incluyen 'P2N29'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
P2N2907A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2726 |
P2N2907AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2566 |
P2N2907AG | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907ARL1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2757 |
P2N2907ARL1 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907ARL1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 11407 |
P2N2907ARL1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907AZL1 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
P2N2907AZL1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
P2N2907AZL1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2696 |
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