NVB6411ANT4G Especificaciones técnicas

MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 217W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 72A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A Tc
Rise Time 144ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 157 ns
Continuous Drain Current (ID) 77A
Drain-source On Resistance-Max 0.014Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 100V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 107 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 285A
Avalanche Energy Rating (Eas) 470 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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NVB6410ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2583
NVB6410ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVB6411ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2633
NVB6412ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2719
NVB6412ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVB6413ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2662
NVB6413ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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