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NVB6413ANT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK-3
Power Dissipation (Max) 136W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 42A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVB6410ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2583
NVB6410ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVB6411ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2633
NVB6411ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVB6412ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2719
NVB6412ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVB6413ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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