NTP5864NG Especificaciones técnicas

NTP5864NG datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 107W
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 4.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 63A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 252A
Height 4.82mm
Width 15.75mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-220-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 107W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63A Tc
Rise Time 6.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Avalanche Energy Rating (Eas) 80 mJ
Length 10.28mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTP5860N VB CIs Calientes Especializados 34363
NTP5860NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34438
NTP5860NG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTP5860NL O CIs Calientes Especializados 34383
NTP5860NLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34363
NTP5860NLG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTP5862NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37363
NTP5863N VB CIs Calientes Especializados 5000
NTP5863NG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 410
NTP5863NG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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