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NTP5863NG
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NTP5863NG Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 97A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 97A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.8 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTP5860N | VB | CIs Calientes Especializados | 34363 |
NTP5860NG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34438 |
NTP5860NG | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTP5860NL | O | CIs Calientes Especializados | 34383 |
NTP5860NLG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34363 |
NTP5860NLG | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTP5862NG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 37363 |
NTP5863N | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
NTP5863NG | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTP5864N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 82363 |
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