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NTLJS3113PT1G Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Resistance | 40MOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | C BEND |
Current Rating | -7.7A |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation-Max | 700mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40m Ω @ 3A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1329pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 17.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -5.8A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3.5A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 23A |
Length | 2mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | µCool™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.9W |
Turn On Delay Time | 6.9 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A Ta |
Rise Time | 17.5ns |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 60 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 20V |
Height | 750μm |
Width | 2mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NTLJS3113PT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTLJS3113PT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTLJS" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTLJS'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTLJS1102PTAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2667 |
NTLJS1102PTAG | Rochester Electronics, LLC | NTLJS1102PTAG | |
NTLJS1102PTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2540 |
NTLJS2103P | ON | CIs Calientes Especializados | 18852 |
NTLJS2103PTAG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3682 |
NTLJS2103PTAG | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTLJS2103PTBG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33399 |
NTLJS2103PTBG | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
NTLJS3113 | RICHTEK | CIs Calientes Especializados | 2618 |
NTLJS3113P | ON | CIs Calientes Especializados | 5962 |
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Soldadura
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