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NTLJS1102PTAG Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 720mV @ 250µA
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.7A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585pF @ 4V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTLJS1102PTAG Rochester Electronics, LLC NTLJS1102PTAG
NTLJS1102PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2540
NTLJS2103P ON CIs Calientes Especializados 18852
NTLJS2103PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3682
NTLJS2103PTAG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTLJS2103PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33399
NTLJS2103PTBG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTLJS3113 RICHTEK CIs Calientes Especializados 2618
NTLJS3113P ON CIs Calientes Especializados 5962
NTLJS3113PT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5496

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