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NTHD3101FT1G Especificaciones técnicas
NTHD3101FT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 8 |
Resistance | 64MOhm |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.1W Ta |
Power Dissipation | 1.1W |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 3.2A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Vgs (Max) | ±8V |
Turn-Off Delay Time | 16 ns |
Threshold Voltage | -1.5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Nominal Vgs | -450 mV |
Length | 3.05mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Weight | 4.535924g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2006 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | C BEND |
Current Rating | -3.2A |
Pin Count | 8 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 5.8 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A Tj |
Rise Time | 11.7ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 1.8V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 12.4 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.4A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 8V |
FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
Height | 1.05mm |
Width | 1.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NTHD3101FT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTHD3101FT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTHD3" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTHD3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTHD3100CT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 1563 |
NTHD3100CT1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTHD3100CT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2635 |
NTHD3100CT1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTHD3100CT3 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2652 |
NTHD3100CT3 | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTHD3100CT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2645 |
NTHD3100CT3G | ON Semiconductor | Matrices de transistores MOSFETs | |
NTHD3101FT1 | ON | CIs Calientes Especializados | 1730 |
NTHD3101FT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 312411 |
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