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NTHD3101FT1G Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tj)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package ChipFET™
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Las siguientes partes incluyen  'NTHD3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTHD3100CT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1563
NTHD3100CT1 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD3100CT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2635
NTHD3100CT1G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD3100CT3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2652
NTHD3100CT3 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD3100CT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2645
NTHD3100CT3G ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NTHD3101FT1 ON CIs Calientes Especializados 1730
NTHD3101FT1G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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