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NTD110N02R-001G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 110A |
Pin Count | 4 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 1.5W Ta 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A Ta 110A Tc |
Rise Time | 39ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 27 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0062Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 120 mJ |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | NO |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 24V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.88W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6m Ω @ 20A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3440pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 21 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 110A |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 12.5A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 24V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
NTD110N02R-001G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTD110N02R-001G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTD11" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTD11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTD110N02 | ON | CIs Calientes Especializados | 5101 |
NTD110N02A IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 24245 |
NTD110N02R | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2578 |
NTD110N02R MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1913 |
NTD110N02R-001 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 20491 |
NTD110N02R-001G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10960 |
NTD110N02R-001G | Rochester Electronics, LLC | NTD110N02R-001G | |
NTD110N02R-001G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 3062 |
NTD110N02R-1 | ON | CIs Calientes Especializados | 2603 |
NTD110N02RG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5823 |
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