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NTD110N02RG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta), 110W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta), 110A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3440pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTD110N02 ON CIs Calientes Especializados 5101
NTD110N02A IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 24245
NTD110N02R AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2578
NTD110N02R MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1913
NTD110N02R-001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20491
NTD110N02R-001G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10960
NTD110N02R-001G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTD110N02R-001G Rochester Electronics, LLC NTD110N02R-001G
NTD110N02R-001G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 3062
NTD110N02R-1 ON CIs Calientes Especializados 2603

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