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NTB90N02T4G Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 24V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 90A |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 85W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A Ta |
Rise Time | 90ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 24V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 85W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8m Ω @ 90A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2120pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 90A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0058Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200A |
Lead Free | Lead Free |
NTB90N02T4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTB90N02T4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTB90" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTB90'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB90N02 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10843 |
NTB90N02G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2734 |
NTB90N02T4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 8875 |
NTB90N02T4 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 785 |
NTB90N02T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1168 |
NTB90N02T4G | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
NTB90N03G | ON | CIs Calientes Especializados | 538 |
NTB90N03G MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5235 |
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