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NTB90N02T4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 24V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB90N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10843
NTB90N02G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
NTB90N02T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8875
NTB90N02T4 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 785
NTB90N02T4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB90N02T4G Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
NTB90N03G ON CIs Calientes Especializados 538
NTB90N03G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 5235

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