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NTB6412ANG Especificaciones técnicas

ON SEMICONDUCTOR NTB6412ANG MOSFET Transistor

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 167W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A Tc
Rise Time 140ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 126 ns
Continuous Drain Current (ID) 58A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.29mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 167W
Turn On Delay Time 16 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.2m Ω @ 58A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 70 ns
Threshold Voltage 4V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240A
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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NTB6412ANG Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTB6412ANG

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "NTB64"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTB64' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB6410AN ON CIs Calientes Especializados 32834
NTB6410ANG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1499
NTB6410ANG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6410ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33363
NTB6410ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6411AN ON CIs Calientes Especializados 31843
NTB6411ANG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33363
NTB6411ANG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6411ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1368
NTB6411ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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