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NTB6411ANG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 217W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 77A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 72A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB6410AN ON CIs Calientes Especializados 32834
NTB6410ANG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1499
NTB6410ANG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6410ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33363
NTB6410ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6411AN ON CIs Calientes Especializados 31843
NTB6411ANG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6411ANT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1368
NTB6411ANT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NTB6412AN ON CIs Calientes Especializados 22711

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