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NTB60N06T4G Especificaciones técnicas
NTB60N06T4G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Powers |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.4W Ta 150W Tj |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 142.5 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 60A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 454 mJ |
Length | 10.29mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 16MOhm |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 60A |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 150W |
Turn On Delay Time | 25.5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A Ta |
Rise Time | 180.7ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 94.5 ns |
Threshold Voltage | 2.85V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
NTB60N06T4G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NTB60N06T4G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NTB60" partes
Las siguientes partes incluyen 'NTB60'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NTB60N06 | ON | CIs Calientes Especializados | 2331 |
NTB60N06G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10471 |
NTB60N06L | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18737 |
NTB60N06LG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33403 |
NTB60N06LT4 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
NTB60N06LT4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18867 |
NTB60N06T4G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6327 |
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