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NTB60N06T4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3220pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "NTB60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NTB60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NTB60N06 ON CIs Calientes Especializados 2331
NTB60N06G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10471
NTB60N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18737
NTB60N06LG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33403
NTB60N06LT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
NTB60N06LT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18867
NTB60N06T4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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