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NSVEMT1DXV6T1G Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 17 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Form | FLAT |
JESD-30 Code | R-PDSO-F6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500pA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Frequency - Transition | 140MHz |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 500mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 500mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA |
Transition Frequency | 140MHz |
VCEsat-Max | 0.5 V |
Lead Free | Lead Free |
NSVEMT1DXV6T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSVEMT1DXV6T1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSVEM" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSVEM'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSVEMC2DXV5T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2680 |
NSVEMC2DXV5T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVEMD4DXV6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2527 |
NSVEMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSVEMT1DXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2671 |
NSVEMT1DXV6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2599 |
NSVEMT1DXV6T5G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSVEMX1DXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2790 |
NSVEMX1DXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores |
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