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NSVEMT1DXV6T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Power - Max 500mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-563
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 140MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500pA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSVEMC2DXV5T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2680
NSVEMC2DXV5T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSVEMD4DXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2527
NSVEMD4DXV6T5G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSVEMT1DXV6T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSVEMT1DXV6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2599
NSVEMT1DXV6T5G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSVEMX1DXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices 2790
NSVEMX1DXV6T1G ON Semiconductor Matrices BJT Transistores

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