NSV2029M3T5G Especificaciones técnicas

NSV2029M3T5G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-723
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Max Power Dissipation 265mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500pA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 265mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 500mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Frequency - Transition 140MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSV20101JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2780
NSV20101JT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV20200DMTWTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSV20200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3352
NSV20200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV20201LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12907
NSV20201LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSV2029M3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2567

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