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NSV20101JT1G Especificaciones técnicas
NSV20101JT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 255mW |
Terminal Form | FLAT |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 220mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 220mV @ 100mA, 1A |
Transition Frequency | 350MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 40V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 255mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 20V |
Frequency - Transition | 350MHz |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NSV20101JT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSV20101JT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSV20" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSV20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSV20101JT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2780 |
NSV20200DMTWTBG | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSV20200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3352 |
NSV20200LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSV20201LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 12907 |
NSV20201LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSV2029M3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2567 |
NSV2029M3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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