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NSS20501UW3TBG Especificaciones técnicas
NSS20501UW3TBG datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 875mW |
Pin Count | 3 |
Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 5A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 20V |
Transition Frequency | 150MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Package / Case | 3-WDFN Exposed Pad |
Number of Pins | 3 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Frequency | 150MHz |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 1.5W |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 20V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 125mV @ 400mA, 4A |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Collector Base Voltage (VCBO) | 20V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
NSS20501UW3TBG Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSS20501UW3TBG
-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSS20" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSS20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSS200-50 | NAE | Módulos IGBT | 2512 |
NSS20101JT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2231 |
NSS20101JT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS20101ST1G | ON | CIs Calientes Especializados | 2663 |
NSS20200DMTTBG | ON Semiconductor | Matrices BJT Transistores | |
NSS20200LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 393587 |
NSS20200LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
NSS20200LT1G IC | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 30306 |
NSS20200W6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2528 |
NSS20200W6T1G | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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