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NSS20200DMTTBG Especificaciones técnicas

TRANS PNP 20V 2A 6WDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices BJT Transistores
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 390mV @ 200mA, 2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Terminal Finish Tin (Sn)
Reach Compliance Code compliant
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Frequency - Transition 155MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSS200-50 NAE Módulos IGBT 2512
NSS20101JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2231
NSS20101JT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS20101ST1G ON CIs Calientes Especializados 2663
NSS20200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 393587
NSS20200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS20200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30306
NSS20200W6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2528
NSS20200W6T1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
NSS20200W6T1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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