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NSS20201LT1G Especificaciones técnicas

NSS20201LT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 540mW
Terminal Form GULL WING
Frequency 150MHz
Base Part Number NSS20201
Number of Elements 1
Power Dissipation 540mW
Transistor Application SWITCHING
Gain Bandwidth Product 150MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Collector Emitter Saturation Voltage 4mV
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
hFE Min 200
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Element Configuration Single
Power - Max 460mW
Halogen Free Halogen Free
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 200mA, 2A
Transition Frequency 150MHz
Max Breakdown Voltage 20V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NSS20201LT1G Documentos

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  • Hojas de datos

Otros incluyen   "NSS20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NSS20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSS200-50 NAE Módulos IGBT 2512
NSS20101JT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2231
NSS20101JT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS20101ST1G ON CIs Calientes Especializados 2663
NSS20200DMTTBG ON Semiconductor Matrices BJT Transistores
NSS20200LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 393587
NSS20200LT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSS20200LT1G IC AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 30306
NSS20200W6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2528
NSS20200W6T1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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