NSCT2907ALT1G Especificaciones técnicas

NSCT2907ALT1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 225mW
Transistor Type PNP
Max Collector Current 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 60V
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC -60V
Power - Max 225mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Frequency - Transition 200MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSCT2222ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2509
NSCT2222ALT1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
NSCT2222ALT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2681
NSCT2222ALT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSCT2907ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1191082
NSCT2907ALT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2688
NSCT2907ALT3G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
NSCT2907ALT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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