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NSCT2907ALT3G Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 0.6A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 225mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSCT2222ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2509
NSCT2222ALT1G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
NSCT2222ALT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2681
NSCT2222ALT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSCT2907ALT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1191082
NSCT2907ALT1G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NSCT2907ALT3G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
NSCT2907ALT3G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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