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NSBA144EDXV6T5G Especificaciones técnicas

Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT563 RSTR XSTR TR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Package / Case SOT-563-6
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 357mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
Collector Current-Max (IC) 0.1A
Continuous Collector Current -100mA
Length 1.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Surface Mount YES
Weight 8.193012mg
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form FLAT
Current Rating -100mA
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
hFE Min 80
DC Current Gain-Min (hFE) 80
Height 550μm
Width 1.2mm
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'NSBA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA114EDXV6T1 ON CIs Calientes Especializados 5048

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