NSBA113EDXV6T1G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 1k
Power - Max 250mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA114EDXV6T1 ON CIs Calientes Especializados 5048
NSBA114EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2618

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