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NSBA143ZDP6T5G Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
Pin Count 6
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case SOT-963
Number of Pins 6
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
Max Power Dissipation 408mW
Base Part Number NSBA1*
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'NSBA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC Matrices de transistores BJT
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor Matrices de transistores BJT
NSBA114EDXV6T1 ON CIs Calientes Especializados 5048

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