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NSBA143TF3T5G Especificaciones técnicas
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-1123 T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SOT-1123 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Max Power Dissipation | 254mW |
Terminal Form | FLAT |
Number of Elements | 1 |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Element Configuration | Single |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Resistor - Base (R1) | 4.7 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
NSBA143TF3T5G Documentos
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "NSBA1" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSBA1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSBA113EDXV6T1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2561 |
NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EDXV6T1 | Rochester Electronics, LLC | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EDXV6T1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2743 |
NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA113EF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2635 |
NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSBA114EDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 6222 |
NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | Matrices de transistores BJT | |
NSBA114EDXV6T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 5048 |
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NSBA143TF3T5G fabricantes de marca: ON Semiconductor, Bonchip existencias, NSBA143TF3T5G precio de referencia. NSBA143TF3T5G parámetros, NSBA143TF3T5G Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el NSBA143TF3T5G Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar NSBA143TF3T5G diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, NSBA143TF3T5G tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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