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NSB9435T1G Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 720mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 3mA
Pin Count 4
Polarity PNP
Case Connection COLLECTOR
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 3A
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 550mV @ 300mA, 3A
Transition Frequency 110MHz
hFE Min 125
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Number of Pins 4
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 125 @ 800mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Frequency - Transition 110MHz
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Otros incluyen   "NSB94"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NSB94' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NSB9435T1 ON CIs Calientes Especializados 143524
NSB9435T1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
NSB9435T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 56910

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