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NSB9435T1G
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NSB9435T1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 720mW |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Frequency - Transition | 110MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 550mV @ 300mA, 3A |
Supplier Device Package | SOT-223 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 800mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
NSB9435T1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para NSB9435T1G
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Hojas de datos
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Otros incluyen "NSB94" partes
Las siguientes partes incluyen 'NSB94'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
NSB9435T1 | ON | CIs Calientes Especializados | 143524 |
NSB9435T1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
NSB9435T1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados |
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