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NJD35N04G Especificaciones técnicas

NJD35N04G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 45W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN - Darlington
Max Collector Current 4A
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Collector Emitter Breakdown Voltage 350V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.5V
Frequency - Transition 90MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Weight 4.535924g
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 350V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 4A
Base Part Number NJD35N04
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Polarity NPN
Case Connection COLLECTOR
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Transition Frequency 90MHz
Max Breakdown Voltage 350V
Collector Base Voltage (VCBO) 700V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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NJD35N04G Documentos

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Otros incluyen   "NJD35"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NJD35' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NJD35N04G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2622
NJD35N04T4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2877
NJD35N04T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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