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NJD35N04T4G Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 45W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 2000 @ 2A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 20mA, 2A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 90MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NJD35N04G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2622
NJD35N04G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
NJD35N04T4G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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