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NDF08N50ZG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Pin Count 3
Power Dissipation-Max 35W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A Tc
Rise Time 23ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 31 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Height 16.12mm
Width 4.9mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 31W
Turn On Delay Time 13 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850m Ω @ 3.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1095pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 29 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.85Ohm
Nominal Vgs 4.5 V
Length 10.63mm
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDF08N50Z VB CIs Calientes Especializados 5000
NDF08N50ZG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
NDF08N50ZH AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5050
NDF08N50ZH ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF08N50ZH MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5441
NDF08N60Z VB CIs Calientes Especializados 5000
NDF08N60ZG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3291
NDF08N60ZG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF08N60ZH AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
NDF08N60ZH ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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