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NDF08N60ZG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package TO-220FP
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.4A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "NDF08"   partes

Las siguientes partes incluyen  'NDF08' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDF08N50Z VB CIs Calientes Especializados 5000
NDF08N50ZG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
NDF08N50ZG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF08N50ZH AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5050
NDF08N50ZH ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF08N50ZH MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5441
NDF08N60Z VB CIs Calientes Especializados 5000
NDF08N60ZG ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NDF08N60ZH AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
NDF08N60ZH ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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