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MMUN2213LT1 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 100mA
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Power Dissipation 246mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 250mV
JEDEC-95 Code TO-236AB
hFE Min 80
Continuous Collector Current 100mA
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SOT-23-3
Published 2001
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 246mW
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 80
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'MMUN2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MMUN2111 N/A CIs Calientes Especializados 3000
MMUN2111LT1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 1397
MMUN2111LT1 ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111LT1 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111LT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 5340
MMUN2111LT1G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111LT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 7669
MMUN2111LT3G ON Semiconductor Transistores BJT Pre-Biasados
MMUN2111RLT1 LRC CIs Calientes Especializados 3500
MMUN2111RLT1G ON CIs Calientes Especializados 4270

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