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MMUN2111LT3G
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MMUN2111LT3G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 246mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'MMUN2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMUN2111 | N/A | CIs Calientes Especializados | 3000 |
MMUN2111LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 1397 |
MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111LT1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 5340 |
MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111RLT1 | LRC | CIs Calientes Especializados | 3500 |
MMUN2111RLT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 4270 |
MMUN2112LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 725 |
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