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MMUN2136LT1G Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 2 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Min Operating Temperature | -55°C |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Pin Count | 3 |
Polarity | PNP |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 k Ω |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Number of Pins | 3 |
Published | 2013 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 |
Max Power Dissipation | 246mW |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Halogen Free | Halogen Free |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 250mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA |
hFE Min | 80 |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
MMUN2136LT1G Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MMUN2136LT1G
-
Hojas de datos
Otros incluyen "MMUN2" partes
Las siguientes partes incluyen 'MMUN2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMUN2111 | N/A | CIs Calientes Especializados | 3000 |
MMUN2111LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 1397 |
MMUN2111LT1 | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111LT1 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 5340 |
MMUN2111LT1G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 7669 |
MMUN2111LT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT Pre-Biasados | |
MMUN2111RLT1 | LRC | CIs Calientes Especializados | 3500 |
MMUN2111RLT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 4270 |
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