FQT13N06TF Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Resistance 140mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 2.8A
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Power Dissipation-Max 2.1W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.8A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Feedback Cap-Max (Crss) 20 pF
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish TIN
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A Tc
Rise Time 25ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 8 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 1.6mm
Width 3.56mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQT13N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 10761
FQT13N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4423
FQT13N06L F CIs Calientes Especializados 12381
FQT13N06L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10361
FQT13N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13519
FQT13N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2259
FQT13N06LTF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQT13N06TF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 28231
FQT13N06TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 21470
FQT13N06TF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 707

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