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FQT13N06TF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package SOT-223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 1.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQT13N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 10761
FQT13N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4423
FQT13N06L F CIs Calientes Especializados 12381
FQT13N06L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10361
FQT13N06LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13519
FQT13N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2259
FQT13N06LTF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQT13N06TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 21470
FQT13N06TF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQT13N06TF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 707

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