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FQP7N80C Especificaciones técnicas
FQP7N80C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 800V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 167W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ω @ 3.3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1680pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 60 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 6.6A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 800V |
Dual Supply Voltage | 800V |
Nominal Vgs | 5 V |
Length | 10.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 1.5Ohm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 6.6A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 167W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 35 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.6A Tc |
Rise Time | 100ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 26.4A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 580 mJ |
Height | 9.4mm |
Width | 4.7mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQP7N80C Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQP7N80C
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQP7N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQP7N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP7N10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39642 |
FQP7N10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39642 |
FQP7N10 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5483 |
FQP7N10L | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 64773 |
FQP7N10L | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 64773 |
FQP7N20 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 774 |
FQP7N20 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6568 |
FQP7N20 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQP7N20L | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33552 |
FQP7N20L | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33552 |
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Accesorios
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