FQP7N20 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690 mOhm @ 3.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP7N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39642
FQP7N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39642
FQP7N10 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5483
FQP7N10L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64773
FQP7N10L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64773
FQP7N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6568
FQP7N20 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP7N20L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33552
FQP7N20L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33552
FQP7N40 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 39480

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