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FQI4N90TU Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Resistance | 3.3Ohm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Power Dissipation-Max | 3.13W Ta 140W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 25 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A Tc |
Rise Time | 70ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 570 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Weight | 2.084g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 900V |
Current Rating | 4.1A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.13W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ω @ 2.1A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 40 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.2A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 900V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQI4N90TU Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQI4N90TU
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQI4N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQI4N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQI4N20 | FSC | CIs Calientes Especializados | 3500 |
FQI4N20L | FSC | CIs Calientes Especializados | 466 |
FQI4N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2630 |
FQI4N20LTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
FQI4N20TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3000 |
FQI4N20TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3000 |
FQI4N20TU | Rochester Electronics, LLC | FQI4N20TU | |
FQI4N25 | FSC | CIs Calientes Especializados | 8000 |
FQI4N25TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2530 |
FQI4N25TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2682 |
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