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FQI4N20LTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'FQI4N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI4N20 FSC CIs Calientes Especializados 3500
FQI4N20L FSC CIs Calientes Especializados 466
FQI4N20LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FQI4N20TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
FQI4N20TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
FQI4N20TU Rochester Electronics, LLC FQI4N20TU
FQI4N25 FSC CIs Calientes Especializados 8000
FQI4N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
FQI4N25TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
FQI4N60 Original CIs Calientes Especializados 2543

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