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FQI4N80TU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Weight 2.084g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 3.6Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.13W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.6 Ω @ 1.95A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 35 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.9A
Drain to Source Breakdown Voltage 800V
Height 9.2mm
Width 4.5mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 800V
Current Rating 3.9A
Power Dissipation-Max 3.13W Ta 130W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A Tc
Rise Time 45ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 460 mJ
Length 9.9mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FQI4N80TU Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQI4N80TU

  • Hojas de datos

Otros incluyen   "FQI4N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQI4N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQI4N20 FSC CIs Calientes Especializados 3500
FQI4N20L FSC CIs Calientes Especializados 466
FQI4N20LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2630
FQI4N20LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
FQI4N20TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
FQI4N20TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3000
FQI4N20TU Rochester Electronics, LLC FQI4N20TU
FQI4N25 FSC CIs Calientes Especializados 8000
FQI4N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2530
FQI4N25TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682

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