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FQD20N06TM Especificaciones técnicas
FQD20N06TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 16.8A |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 38W Tc |
Current | 18A |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A Tc |
Rise Time | 45ns |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Length | 6.6mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | 60V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Voltage | 55V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63m Ω @ 8.4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 16.8A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Height | 2.3mm |
Width | 6.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FQD20N06TM Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQD20N06TM
-
Hojas de datos
Otros incluyen "FQD20" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQD20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQD20N06 | F | CIs Calientes Especializados | 10343 |
FQD20N06 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 22995 |
FQD20N06-NL | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
FQD20N06L | FCS | CIs Calientes Especializados | 2826 |
FQD20N06L MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 6331 |
FQD20N06LE | FAI | CIs Calientes Especializados | 43270 |
FQD20N06LETM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24235 |
FQD20N06LETM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10310 |
FQD20N06LETM | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
FQD20N06LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10000 |
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