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FQD20N06LTF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 8.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Otros incluyen   "FQD20"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQD20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQD20N06 F CIs Calientes Especializados 10343
FQD20N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 22995
FQD20N06-NL VB CIs Calientes Especializados 5000
FQD20N06L FCS CIs Calientes Especializados 2826
FQD20N06L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6331
FQD20N06LE FAI CIs Calientes Especializados 43270
FQD20N06LETM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24235
FQD20N06LETM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10310
FQD20N06LETM Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FQD20N06LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10000

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