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FQB30N06LTM Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 35mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 32A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.75W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A Tc
Rise Time 210ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 60 ns
Threshold Voltage 2.5V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.75W Ta 79W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1040pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 110 ns
Continuous Drain Current (ID) 32A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'FQB30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQB30N06 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2578
FQB30N06L F CIs Calientes Especializados 10799
FQB30N06L MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 23693
fqb30n06lmt FAIRCHIL CIs Calientes Especializados 5286
FQB30N06LTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 66520
FQB30N06LTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 66520
FQB30N06LTM MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 15462
FQB30N06LTM-NL Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 430
FQB30N06TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
FQB30N06TM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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